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GAIA瞬态电压抑制器的主要特性和参数
点击次数:512 发布时间:2017-12-23
GAIA瞬态电压抑制器是一种二极管形式的能保护器件简称TVS,有的文献上也为TVP、AJTVS、SAJTVS等。当GAIA瞬态电压抑制器二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10-12秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。
由于GAIA瞬态电压抑制器具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点,目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、电源、家用电器等各个领域。GAIA瞬态电压抑制器具体有以下三大特点:
1、将GAIA瞬态电压抑制器二极管加在信号及电源线上,能防止微处理器或单片机因瞬间的肪冲,如静电放电效应、交流电源之浪涌及开关电源的噪音所导致的失灵。
2、静电放电效应能释放超过10000V、60A以上的脉冲,并能持续10ms;而一般的TTL器件,遇到超过30ms的10V脉冲时,便会导至损坏。利用GAIA瞬态电压抑制器二极管,可有效吸收会造成器件损坏的脉冲,并能消除由总线之间开关所引起的干扰(Crosstalk)。
3、将GAIA瞬态电压抑制器二极管放置在信号线及接地间,能避免数据及控制总线受到不必要的噪音影响。
GAIA瞬态电压抑制器的特性及主要参数
1、GAIA瞬态电压抑制器的特性曲线
TVS的电路符号与普通稳压二极管相同。它的正向特性与普通二极管相同;反向特性为典型的PN结雪崩器件。在瞬态峰值脉冲电流作用下,流过TVS的电流,由原来的反向漏电流ID上升到IR时,其两极呈现的电压由额定反向关断电压VWM上升到击穿电压VBR,TVS被击穿。随着峰值脉冲电流的出现,流过TVS的电流达到峰值脉冲电流IPP。在其两极的电压被箝位到预定的zui大箝位电压以下。尔后,随着脉冲电流按指数衰减,TVS两极的电压也不断下降,zui后恢复到起始状态。这就是TVS抑制可能出现的浪涌脉冲功率,保护电子元器件的整个过程。
2、GAIA瞬态电压抑制器的特性参数
①zui大反向漏电流ID和额定反向关断电压VWM:VWM是TVSzui大连续工作的直流或脉冲电压,当这个反向电压加入TVS的两极间时,它处于反向关断状态,流过它的电流应小于或等于其zui大反向漏电流ID。
②zui小击穿电压VBR和击穿电流IR:VBR是TVSzui小的雪崩电压。25℃时,在这个电压之前,TVS是不导通的。当TVS流过规定的1mA电流(IR)时,加入TVS两极间的电压为其zui小击穿电压VBR。按TVS的VBR与标准值的离散程度,可把TVS分为±5%VBR和平共处±10%VBR两种。对于±5%VBR来说,VWM=0.85VBR;对于±10%VBR来说,VWM=0.81VBR。
③zui大箝拉电压VC和zui大峰值脉冲电流IPP:当持续时间为20微秒的脉冲峰值电流IPP流过TVS时,在其两极间出现的zui大峰值电压为VC。它是串联电阻上和因温度系数两者电压上升的组合。VC、IPP反映了TVS器件的浪涌抑制能力。VC与VBR之比称为箝位因子,一般在1.2——1.4之间。
④电容量C电容量:C是TVS雪崩结截面决定的、在特定的1MHZ频率下测得的。C的大小与TVS的电流承受能力成正比,C过大将使信号衰减。因此,C是数据接口电路选用TVS的重要参数。
⑤zui大峰值脉冲功耗PMPM是TVS能承受的zui大峰值脉冲耗散功率。其规定的试验脉冲波形和各种TVS的PM值,请查阅有关产品手册。在给定的zui大箝位电压下,功耗PM越大,其浪涌电流的承受能力越大;在给定的功耗PM下,箝位电压VC越低,其浪涌电流的承受能力越大。另外,峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。而且TVS所能承受的瞬态脉冲是不重复的,器件规定的脉冲重复频率(持续时间与间歇时间之比)为0.01%,如果电路内出现重复性脉冲,应考虑脉冲功率的“累积”,有可能使TVS损坏。
⑥箝位时间TC:TC是从零到zui小击穿电压VBR的时间。对单极性TVS小于1×10-12秒;对双极性TVS小于是1×10-11秒。
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